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Nouveaux produits

Toshiba dévoile un processus SOI offrant la classe de pertes d’insertion la plus basse du marché

Publication: Novembre 2015

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Des échantillons produits au moyen du processus nouvelle génération, TaRF8, seront disponibles en janvier...
 

Toshiba Electronics Europe a annoncé le développement d’un processus nouvelle génération dénommé TarfSOI™ (Toshiba Advanced RF SOI, ou SOI RF avancé Toshiba) optimisé pour les applications de commutateurs RF (radio-fréquence). Les CI commutateurs RF, produits grâce aux nouveaux processus TaRF8, tels que le nouveau SP12T, offrent la classe la plus basse de pertes d’insertion du marché. Les livraisons d’échantillons de CI commutateurs SP12T FR produits avec ce nouveau processus démarreront en janvier 2016.

Conçu pour les smartphones, le CI commutateur SP12T RF dispose d’un contrôleur MIPI-RFFE intégré pour applications mobiles. Ce dispositif convient aux appareils aux normes 3GPP, GSM, UMTS, W-CDMA, LTE et LTE Advanced.

Les produits utilisant le nouveau procédé TaRF8 SOI-CMOS[6] à frontal TarfSOI offrent la plus basse classe de perte d’insertion du marché, avec 0.32 dB à 2.7 GHz.. Par rapport aux produits utilisant le processus Toshiba actuel TaRF6, les pertes par insertion sont améliorées de 0.1 dB, tout en maintenant le même niveau de distorsion.

Avec l’évolution des communications mobiles vers le haut-débit et les transferts de données haute-capacité, les CI commutateurs RF utilisés dans les appareils mobiles et les smartphones, nécessitent un support multi-port et des performances RF supérieures. On sait bien que la réduction des pertes d’insertion est un facteur particulièrement important pour cela, puisqu’il diminue les pertes des transmissions RF, ce qui permet une durée de vie plus longue des batteries des appareils mobiles.

Toshiba développe des CI commutateurs hautes-performances grâce à sa technologie SOI-CMOS interne, qui convient parfaitement à l’intégration de circuits analogiques et numériques. En traitant tous les aspects du flux de production, depuis le développement des processus RF, jusqu’à la conception et la fabrication de puces commutateurs RF, Toshiba est capable d’améliorer rapidement le processus de fabrication SOI-CMOS ; en fonction du retour d’information sur ses propres CI commutateurs RF. Cette approche IDM (Integrated-Device-Manufacturer, ou fabricant de composants intégrés) permet à Toshiba de mettre au point rapidement de nouvelles technologies de fabrication adaptées aux produits réels, et d’accéder au marché avec des produits fabriqués avec les toutes dernières technologies de fabrication.

Toshiba va continuer d’améliorer les performances de son processus de fabrication TarfSOI, et d’oeuvrer pour répondre aux besoins de ses clients et du marché en matière de CI commutateurs RF, en présentant des produits faisant appel aux technologies de pointe, avant ses concurrents.

http://toshiba.semicon-storage.com/

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